SK海力士将扩大HBE生产设施投资，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比2023年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E，以应对高性能AI产品需求的增加。　　消息显示，韩国半导体制造商SK海力士（SK hynix Inc．）将扩大其高...